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IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了一定的困难:
1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;
2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;
3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的采样;
4、lGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力;
5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应;
6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。
普赛斯功率器件静态测试解决方案
普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
IGBT测试系统图
普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
“双高”系统优势
高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V
具有大电流测量/输出能力,电流高达1000A(可拓展至3000A)
高精度测量
nA级漏电流, μΩ级导通电阻
0.1%精度测量
模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元
测试效率高
内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的一键测试
扩展性好
支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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武汉普赛斯PMST系列功率器件静态测试系统覆盖IV,CV,跨导等丰富测试功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒压限流,恒流限压模式,可定制化夹具,用于晶圆,芯片,器件,模块及IPM全面测试。目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出明显优势。特别是在聚焦SiC/IGBT第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、3000A以上量程及测试性能均处于优势地位。
