高电压源测单元具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六
部分技术参数
最大输出功率:E300:350W,3500V/100mA(不同型号有差异);
输出电压建立时间典型值:< 5ms;
输出接口:E100:三同轴BNC;E200、E300:KHV(三同轴);
扫描:支持线性、对数及用户自定义扫描;
通信接口:RS232、以太网;
保护:支持急停、?高压互锁保护;
触发:支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸2U机箱,深度:520mm(不包含挂耳及急停按钮)
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
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武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。
未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。
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