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系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试；
大电流：支持高达3KA大电流测试(多模块并联)；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
联系我们：
武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出明显优势。特别是在聚焦SiC/IGBT第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在3500V、3000A以上量程及测试性能均处于优势地位。欲了解更多功率器件测试系统igbt/mos静态参数测试信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！
