igbt静态参数测试机igbt模块测试设备

 PMST系列igbt静态参数测试机igbt模块测试设备是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。详询一八一四零六六三四七六

 

产品特点

 高电压、大电流

 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至12kV)

 

 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 

 高精度测量

 

  nA级漏电流, μΩ级导通电阻

 

  0.1%精度测量

 

  模块化配置

 

  可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

 

  测试效率高

 

  内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

 

  支持国标全指标的一键测试

 

  扩展性好

 

  支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

 

 

 

 

硬件特色与性能优势

大电流输出响应快，无过冲

采用自主开发的高性能脉冲式大电流源、高压源，输出建立过程响应快、无过冲。测试过程中，大电流典型上升时间为15us,脉宽在50-500μs之间可调。采用脉冲大电流的测试方式，可有效降低器件因自身发热带来的误差。

高压测试支持恒压限流，恒流限压模式

采用自主开发的高性能高压源，输出建立与断开响应快、无过冲。在击穿电压测试中，可设定电流限制或者电压限值，防止器件因过压或过流导致损坏。

 

 

测试项目

 

二极管：反向击穿电压V_R、反向漏电流I_R、正向电压V_F、 正向电流I_F、电容值C_d、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES栅极内阻R_g、输入电容C_iss/C_ies、输出电容、C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、输入电容C_T、输出电容C_CE、 电流传输比C_TR、隔离电容C_IO

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