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igbt静态参数测试机igbt模块测试设备
PMST系列igbt静态参数测试机igbt模块测试设备是武汉普赛斯正向设计,精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一致能够提供IV
2026-08-17 10:27
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武汉普赛斯仪表有限公司
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1台起订
dc电流源国产品牌数字源表
S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表,集电压、电流的输入输出及测量等多种功能。
2026-08-17 10:21
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武汉普赛斯仪表有限公司
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1000.00
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1台起订
基于S系列源表的集成电路设计教学实验平台
基于S系列源表的集成电路设计教学实验平台认准普赛斯仪表,普赛斯教学实验平台采用一体化设计,集成了数字源表、LCR电桥、万用表
2026-08-13 09:30
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武汉普赛斯仪表有限公司
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功率器件测试系统igbt/mos静态参数测试
功率器件测试系统igbt/mos静态参数测试认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上
2026-08-13 09:20
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武汉普赛斯仪表有限公司
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1台起订
半导体参数测试仪ivcv曲线分析仪
SPA6100半导体参数测试仪ivcv曲线分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围
2026-08-12 10:52
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微电子教学实验平台半导体器件测试系统
微电子教学实验平台半导体器件测试系统认准普赛斯仪表,普赛斯教学实验平台采用一体化设计,集成了数字源表、LCR电桥、万用表、
2026-08-12 10:46
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PMST2210型半导体分立器件静态测试系统
半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试
2026-08-11 09:20
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mos管电性能分析数字源表iv曲线扫描
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可 以 广泛 应 用 在 模 拟 电 路
2026-08-11 09:12
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二三极管电性能分析数字源表iv曲线仪
半导体分立器件是指以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,具有整流、
2026-08-11 09:30
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高电流脉冲电源1000A脉冲电流源
普赛斯HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15s)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)
2026-08-11 09:30
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半导体分立器件测试仪iv曲线测试机
半导体分立器件是指以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,具有整流、
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四象限双极性电源高精度台式源
S系列四象限双极性电源高精度台式源是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表,集电压、电流的输
2026-08-11 09:30
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E系列高压程控电源功率模块耐压测试
产品简介高电压源测单元具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测
2026-08-11 09:30
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大电流源300A脉冲恒流源
普赛斯HCPL030系列高电流脉冲电源为脉冲恒流源,产品具有输出脉冲边沿陡(10s)、测试效率高(40ms,外部控制继电器)、支持两路
2026-08-11 09:30
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硅光晶圆测试多通道数字源表PXIe插卡式源表
PXIe-5140/5141是一款4通道独立的高性能精密源表,能够同时输出和测量电压电流,最大支持10V100mA/30V500mA输出,最小脉宽可达10
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半导体参数分析仪4200替代产品
SPA6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼
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IGBT模块测试设备igbt检测仪
IGBT功率半导体器件测试难点IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有
2026-08-11 09:30
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功率半导体测试设备静态参数测试系统
普赛斯PMST功率半导体测试设备静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自
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